東芝存儲器最新發布XL-Flash技術-上海玄亨實業有限公司上海玄亨半導體技術有限公司

據外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預計將于下月送樣檢測，或將于2020年量產。

據東芝存儲器表示，這項技術與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，XL-Flash屬于持久性存儲器，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時性能介于DRAM和NAND之間。雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應用程序要求苛刻的訪問速度，但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性，新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問題。

它是介于DRAM和NAND閃存之間的產品，與傳統的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署，但未來也將擴展到DRAM產品線上。